MIB3012M-Wシリーズ
特長
小型・低背のパワーインダクタ
MIBシリーズは閉磁路構造を採用したパワーインダクタです。シールドコア材にフェライトを採用し、低輻射ノイズを実現しました。
-
シールドコアによる閉磁路構造と低損失材の採用により高効率を実現
-
端子電極部分に金めっきを採用したことによる、優れたはんだ耐熱性・はんだ付け性
-
金めっき電極と熱圧着技術を融合して自動化ラインを構築、高品質を実現
-
RoHS指令適合製品
用途
小型DC/DCコンバータ昇圧／降圧回路
構造
寸法
【MIB3012M-Wシリーズ】
推奨ランドパターン
形名および定格一覧
| 形名 | インダクタンス L [µH] ※1 | 直流抵抗 Rdc [Ω] ※2 | 定格電流 Idc1 [A] ※3 | 定格電流 Idc2 [A] ※4 |
| MIB3012M-R50W | 0.5±30% | 0.037 | 3.23 | 2.87 |
| MIB3012M-1R0W | 1.0±30% | 0.042 | 2.39 | 2.43 |
| MIB3012M-2R2W | 2.2±20% | 0.081 | 1.7 | 1.81 |
| MIB3012M-3R3W | 3.3±20% | 0.098 | 1.44 | 1.6 |
| MIB3012M-4R7W | 4.7±20% | 0.14 | 1.2 | 1.35 |
| MIB3012M-6R8W | 6.8±20% | 0.21 | 0.98 | 1.06 |
| MIB3012M-100W | 10.0±20% | 0.29 | 0.83 | 0.89 |
| MIB3012M-150W | 15.0±20% | 0.42 | 0.68 | 0.72 |
| MIB3012M-220W | 22.0±20% | 0.68 | 0.55 | 0.57 |
※1 Ta=25°C、Idc=0A、測定周波数100kHz / 1V
※2 Ta=25°C
※3 Idc1 インダクタンス変化率 |△L/L|≦30%
※4 Idc2 温度上昇 △T≦40°C
直流重畳特性
関連情報
-
製品の関連情報をご覧いただけます。
-
製品情報
Home