超高純度ファインセラミックスSiC部材(PureBeta)
優れた特性を持つ超高純度高密度SiC焼結体 PureBetaのテクニカルデータをご紹介します。
不純物含有量(PureBeta)
金属不純物レベル6N以上の高純度と、理論密度の98%以上の高密度を両立しました。
PureBeta | ||
---|---|---|
元素 | バルク (ppm) |
表面
(1010atoms/cm²) |
B | 0.02 | - |
Na | <0.01 | - |
Al | 0.08 | - |
K | <0.01 | <DL |
Ti | 0.02 | <DL |
Cr | 0.02 | <DL |
Mg | 0.02 | - |
Fe | 0.05 | 0.2 |
Co | <0.01 | <DL |
Ni | <0.01 | <DL |
Cu | 0.04 | <DL |
Zn | 0.01 | <DL |
W | <0.01 | <DL |
材料の特性比較
優れた特性を持つSiC「PureBeta」。
従来、金属助材なしでは焼結しないとされていたSiCを、独自技術により非金属助材による焼結を可能にしました。
特性 | SiC (PureBeta) |
Si | C | SiO2 | Al2O3 | AlN | |
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密度 | g/cm³ | 3.15 | 2.33 | 1.55 | 2.1 | 3.9 | 3.2 |
ビッカーズ硬度 | - | 2200 | 1000 | - | 800 | 1900 | 1800 |
曲げ強度 | MPa | 600 | 300 | 120 | 40 | 500 | 300 |
弾性率 | GPa | 390 | 190 | 28 | 66 | 400 | 320 |
破壊靭性 | MPa/m0.5 | 4.4 | - | - | - | 3.5 | 3.0 |
熱膨張率 | E-6/K | 4.3 | 3.9 | 3.2 | 0.5 | 7.9 | 4.0 |
熱伝導率 | W/m·K | 230 | 160 | 8 | 1 | 38 | 170 |
体積抵抗率 | Ω·cm | 2E-02 | 2E+04 | 4E-03 | 2E-02 | 1E+14 | 1E+14 |
PureBeta 仕様表
組成 | ß-SiC |
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製造方法 | ホットプレス |
加工可能寸法 | Φ480mm以下、厚み100mm以下 |
耐蝕性 | 耐フッ酸性良好、耐イオン、耐プラズマ性に優れる |
使用温度範囲 | 真空中:1400°C以下 大気圧下:1700°C以下 |
適応分野 | 高純度半導体用部品、ヒーター製品 |
各種物性(PureBeta)
特性 | PureBeta | 測定法 | |
---|---|---|---|
構造 | - | Poly ß-SiC | X線解析法 |
密度 | g/cm³ | 3.15 | アルキメデス法 |
ビッカーズ硬度 | - | 2200 | ビッカーズ硬度計 |
曲げ強度 | MPa | 600 | 3点曲げ強度試験 |
弾性率 | GPa | 390 | 超音波パルスエコー法 |
ポアソン比 | - | 0.15 | 超音波パルスエコー法 |
熱膨張係数 | /K | 4.3×10-6 | 示差膨張計 (RT~1000°C) |
熱伝導率 | W/m·K | 230 | レーザーフラッシュ法 (RT) |
比熱 |
J/g·K
|
0.68 | 示差走査熱量計 (RT) |
体積抵抗率 | Ω·cm | 0.02 | 4探針法 (RT) |
製品一覧
化合物半導体製造用治具 |
青・白色LED等GaN系デバイスの製造用治具として最適のソリューションを提供します。全て超高純度SiCで構成されたバルク体で、極めて高い耐久性と信頼性を誇ります。 |
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超高純度SiC焼結体ダミーウェハ |
高性能で優れたコストパフォーマンスのダミーウェハのご提案です。形状安定性に優れており、耐食性、耐熱性で長期リサイクル使用が可能。様々なアプリケーションに対応可能な高純度SiCダミーウェハです。 |
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ヒーターエレメント |
高導電性を利用して室温から1700°Cまで急速昇温が可能で高耐久性と併せて大気中および反応性のガス雰囲気下での加熱に威力を発揮します。 |
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ヒーターカバープレート |
プロセスチャンバのコンディションを整える際、ヒーターステージを保護するプレート。 |
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超高純度SiCヒーターユニット |
超高純度SiC素材とその接合技術を応用し、Si半導体デバイス製造のほぼ全温度領域をカバーする画期的な基盤加熱ヒーターユニットを実現しました(構造材は高純度石英)。独自の熱解析システムによりお客様の装置に合わせたカスタム設計が可能となり枚葉式熱処理工程(アニール・各種成膜等)の可能性を大きく広げます。 |
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PBターゲット |
光学膜としては、レーザー光導波用SiO2膜形成時に利用できます。保護膜としては、各種機械的用途として利用できます。また、高導電性を利用したDCスパッタは、効率アップにきわめて有効です。 |
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電極・リング |
耐プラズマ性に優れて、高耐久、長寿命です。同時にパーティクルの低減効果があります。 |
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電極一体型SiCヒーター |
弊社の独自技術であるSiC-SiC接合技術によって、エレメントと電極を接合した一体型のヒーターです。 |