AlN積層基板・パッケージ
特長
積層構造のため自由な配線引き回しが可能です。またキャビティ構造も可能で複雑な構造に対応できます。
高発熱チップ実装時にはその熱を逃がすことが可能な高放熱AlN材料で構成されたパッケージです。
構造例（断面）
用途
センサーパッケージ、表面実装パッケージ、MEMS用パッケージ、光通信パッケージ、LEDパッケージ等。
積層基板一般仕様
| 項目 | AlN |
|---|---|
| メタライズVia | W |
| 内層 | W |
| 表層 | W / Cu |
| めっき | NiB / NiP-Au / NiP-Pd-Au（無電解めっき） / Ni-Au（電解めっき） |
基板特性値
| 項目 | 単位 | AlN | ||
|---|---|---|---|---|
| 呈色 | - | 灰色 | ||
| 見掛密度 | g/㎤ | 3.30 | ||
| 機械的特性 | 抗折強度 | MPa | 350 | |
| 熱的特性 | 熱膨張係数 | ppm/℃ | 4.6 | |
| 熱伝導率 | W/(m･K) | 170 | ||
| 電気的特性 | 誘電率 | 1GHz | - | 8.5 |
| 体積固有抵抗 | 100Vdc | Ω･㎝ | >1014 | |
| 絶縁破壊電圧 | ㎸/mm | >15 | ||
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