MIB6020M-Wシリーズ
特長
大電流用の低背パワーインダクタ
MIBシリーズは閉磁路構造を採用したパワーインダクタです。シールドコア材にフェライトを採用し、低輻射ノイズを実現しました。
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シールドコアによる閉磁路構造と低損失材の採用により高効率を実現
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端子電極部分に金めっきを採用したことによる、優れたはんだ耐熱性・はんだ付け性
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金めっき電極と熱圧着技術を融合して自動化ラインを構築、高品質を実現
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RoHS指令適合製品
用途
DC/DCコンバータ昇圧／降圧回路
構造
寸法
【MIB6020M-Wシリーズ】
推奨ランドパターン
形名および定格一覧
| 形名 | インダクタンス L [µH] ※1 | 直流抵抗 Rdc [Ω] ※2 | 定格電流 Idc1 [A] ※3 | 定格電流 Idc2 [A] ※4 |
| MIB6020M-4R7W | 4.7±20% | 0.055 | 2.91 | 2.53 |
| MIB6020M-6R8W | 6.8±20% | 0.083 | 2.43 | 2.06 |
| MIB6020M-100W | 10.0±20% | 0.11 | 2.07 | 1.81 |
※1 Ta=25°C、Idc=0A、測定周波数100kHz / 1V
※2 Ta=25°C
※3 Idc1 インダクタンス変化率 |△L/L|≦30%
※4 Idc2 温度上昇 △T≦40°C
直流重畳特性
関連情報
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