氮化硅（Si3N4）
基于陶瓷材料技术所开发的氮化硅制品具有高强度，高韧性，高导热率，根据这些特性，产品被广泛用于要求拥有高信赖性材料的功率半导体基板领域。
氧化铝陶瓷基板，氧化锆增韧氧化铝基板，氮化铝陶瓷基板，氮化硅陶瓷基板特性一览表
| 项目 | 单位 | Al2O3 | ZTA | AlN | Si3N4 | |||
| HA-96-2 | HBS | ZTA | AN-170 | SN-90 | ||||
| 材料 | - | - | 96% | 96.5% | Al2O3/ZrO2 | AlN | Si3N4 | |
| 颜色 | - | - | 白色 | 白色 | 白色 | 灰色 | 灰色 | |
| 表现密度 | - | g/㎤ | 3.75 | 3.75 | 4.00 | 3.30 | 3.22 | |
| 表面粗糙度Ra | - | µm | 0.4 | 0.3 | 0.2 | 0.2 | 0.4 | |
| 光反射率 | 0.3-0.4mmt | % | 70 | 70 | 80 | 35 | - | |
| 0.8-1.0mmt | 80 | 80 | 90 | 25 | - | |||
| 物理特性 | 抗折强度 | 三点弯曲 | MPa | 400 | 500 | 700 | 450 | 800 |
| 杨氏模量 | - | GPa | 330 | 330 | 310 | 320 | 310 | |
| 维氏硬度 | - | GPa | 14 | 14 | 15 | 11 | 15 | |
| 断裂韧度 | IF法 | MPa･√m | 3.0 | - | 3.5 | 3.0 | 6.5 | |
| 热特性 | 热膨胀系数 | 40-400°C | 10-6/K | 6.7 | 6.7 | 7.1 | 4.6 | 2.6 |
| 40-800°C | 7.8 | 7.8 | 8.0 | 5.2 | 3.1 | |||
| 热导率 | 25°C | W/(m･K) | 24 | 24 | 27 | 180 | 85 | |
| 300°C | 12 | 12 | 16 | 120 | - | |||
| 比热 | 25°C | J/(㎏･K) | 750 | 750 | 720 | 720 | 680 | |
| 电气特性 | 介电常数 | 1MHz | - | 9.8 | 9.8 | 10.2 | 8.5 | 7.8 |
| 介电损耗 | 1MHz | 10-3 | 0.2 | 0.2 | 0.2 | 0.3 | 0.4 | |
| 体积电阻 | 25°C | Ω･㎝ | >1014 | >1014 | >1014 | >1014 | >1014 | |
| 击穿电压 | DC | ㎸/㎜ | >15 | >15 | >15 | >15 | >15 | |
特性
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